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inn材料的电学特性

.6ev(inn)到6.2ev(aln)的连续可调直接带隙,这样利用单一体系的材料就可以制备覆盖从近红外到深紫外光谱范围的光电组件。因此,inn有望成为长波长半导体光电器件、全彩显

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00

半导体照明灯具系统设计概述

面,而灯具深度很薄;而利用光导技术,led直接装于光导管旁,可大大减少光源及其它组件占用的体积,制成超薄的灯具。4)电源、电路与灯具的集成为led 设计灯具,需要注意白炽灯和荧光灯灯

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229949.html2011/7/17 23:29:00

分析el背光驱动工作原理

l灯片的发光颜色。el灯片具有很强的柔韧性,在不折损电极的前提下,可任意裁剪或弯曲而不影响发光性能;而且,el灯片是一种“平面”发射器,相对于led点光源, 无须导光板等扩散器即

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led背光与无彩色滤光片技术

如等离子(plasma display panel,pdp)、有机发光二极管(organic light emitting iode,oled),甚至是场发射式显示器(fiel

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229940.html2011/7/17 23:26:00

静电在led显示屏生产过程中的危害及防护措施

以产生局部地方发热,因此出现直接击穿灯管和ic的故障。即使电压低于介质的击穿电压,也会发生这种故障。一个典型的例子是,led是pn结组成的二极管,发射极与基极间的击穿会使电流增益急

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发光二极管封装结构及技术

近红外光。但pn结区发出的光子是非定向的,即向各个方向发射有相同的几率,因此,并不是管芯产生的所有光都可以释放出来,这主要取决于半导体材料质 量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与

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sed显示技术

sed的构造及其优势sed的全称是“surface-conduction electron-emitter display”,译成中文就是“表面传导电子发射显示器”。下图是se

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led背光与无彩色滤光片技术

如等离子(plasma display panel,pdp)、有机发光二极管(organic light emitting iode,oled),甚至是场发射式显示器(fiel

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led与太阳能结合的照明技术

等特点。1. 太阳能光伏发电的原理:太阳能光伏发电是依靠太阳能电池组件,利用半导体材料的电子学特性,当太阳光照射在半导体pn结上,由于p-n结势垒区产生了较强的内建静电场,因而产

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我国半导体照明应用现状

国汽车产销达727.97万辆和721.60万辆,同比增长32.76%和30.02%。随着led发光组件技术水平的提高,产品价格的下降,led组合尾灯、led刹车灯、led转向灯等将

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