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讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长gan过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
lg伊诺特近期宣布，已经在韩国坡州建成了世界最大的单一led制造基地，该基地安装了超过10,000盏led灯具，生产产品涵盖led外延片生长、led模块制造的led生产各个环节。
https://www.alighting.cn/news/2011728/n380233423.htm2011/7/28 8:46:59
对后续外延层的结晶质量具有重要的影响,这也解释了algan表面形貌的形
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48
0 min左右,显示的位错清晰、准确,且最适合随后的横向外延生
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127222.htm2011/8/31 15:44:51
cob，在电子制造业里并不是一项新鲜的技术，是指直接将裸外延片黏贴在电路板上，并将导线／焊线直接焊接在pcb的镀金线路上，也是俗称中的打线(wire bonding)，再透过封
https://www.alighting.cn/resource/20110826/127251.htm2011/8/26 9:56:45
天龙光电利用超募资金投入，华晟光电以多项mocvd专有技术及资金投入，共同在常州合资成立独立法人的中外合资公司，主要从事mocvd设备及外延工艺的研发、生产、销售、及售后服务，并
https://www.alighting.cn/news/2011221/n177430372.htm2011/2/21 18:31:08
该半导体照明产业园由金沙江创业投资基金(gsr ventures)投资设立，现有外延片芯片、led灯泡和研发中心三个项目，分别由晶能光电(江西)有限公司、sunsun ligh
https://www.alighting.cn/news/2011317/n685530750.htm2011/3/17 18:25:27
开发晶计划投资近5亿美元，从事led芯片和外延片、led光源模组、led灯源、led灯具和led应用产品的研发、封装、生产制造等。按照项目二期投资规划，2012年4月开始进行首
https://www.alighting.cn/news/201168/n348932523.htm2011/6/8 18:23:22
用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明：gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺寸大
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
