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摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35
跌，即使封装技术允许高热量，不过 led 芯片的接合温度却有可能超过容许值，最后业者终于领悟到解决封装的散热问题才是根本方法。 有关 led 的使用寿命，例如改用矽质封装材料与陶
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261469.html2012/1/8 21:39:20
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261468.html2012/1/8 21:39:16
种应用中，必须提供低至中等大小的负载电流。此外，这种转换器采用小型封装，需要非常少的外部组件，通常仅需要3个陶瓷电容器。大多数升压型dc/dc转换器都进行了专门设计，以便为白光le
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261466.html2012/1/8 21:39:11
路和升压开关管，但是电感和用于续流的肖特基二极管还是外接的，这增加了电路的复杂性、成本和pcb面积。此外，由于闪光灯驱功电路、led、显示屏、手机天线一般位于手机上端，与手机的射频电
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261462.html2012/1/8 21:39:02
d）的硅载体上。 2.3陶瓷底板倒装法： 先利用led晶片厂通用设备制备出具有适合共晶焊接电极结构的大出光面积的led芯片和相应的陶瓷底板，并在上制作出共晶焊接导电层
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10
路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化，例如漏电流加大，一般 gan 基 led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下，起放
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261432.html2012/1/8 21:28:50
性将会不断提高，预计在明年，该驱动器的功率因素能够达到0.9左右。 t220c350系列驱动器在设计时，没有采用一颗电解电容，全部选用高精度的陶瓷电容，增加了整个电源的长寿命性。
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261426.html2012/1/8 21:28:15
离关键频段(比如：am无线电波段)。高开关频率还允许使用小的电感器和陶瓷电容器，从而最大限度地缩减了解决方案的尺寸和成本。 双led应用 许多嵌入式高电流led应用将包括单个
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261417.html2012/1/8 21:27:47
容分别是：降低芯片到封装的热阻抗、抑制封装至印刷电路基板的热阻抗、提高芯片的散热顺畅性。 为了降低热阻抗，许多国外led厂商将led芯片设置在铜与陶瓷材料制成的散热器（hea
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