站内搜索
研的碳化硅(SiC)外延片。 2,osram osram是世界第二大光电半导体制造商，产品有照明，传感器，和影像处理器。公司总部位于德国，研发和制造基地在马来西亚，约
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109110.html2010/10/20 15:39:00
硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/b789456123013/archive/2011/4/16/165818.html2011/4/16 19:03:00
造流程是：首先在外延片顶部的p型gan上淀积厚度大于500a的niau层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出n型层；经淀积、刻蚀形成n型欧姆接触
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
题，这是目前主流的大功率led的生产方式。 美国lumileds公司于2001年研制出了algainn功率型倒装芯片（fcled）结构，其制造流程是：首先在外延片顶部的p型ga
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00
c)，氮化镓(gan)，硅(si)及相关的化合物为基础，包括蓝，绿，紫外发光二极管(led)，近紫外激光，射频(rf)及微波器件，功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(SiC)外延
http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55
e led一样，此次新产品借助于sc3技术平台的强力支持。sc3技术平台是采用cree自家的碳化矽(SiC)技术，在led芯片结构及萤光粉技术上表现出优异的特性，同时采用了最新封装技
https://www.alighting.cn/pingce/20120411/122609.htm2012/4/11 9:35:02
碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅mosfet器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统，科锐新型碳化硅mosfet器件可实现更高的系统效率及更
https://www.alighting.cn/news/2013320/n847049790.htm2013/3/20 9:48:13
料的led芯片，则使用蓝宝石、SiC和si等作为基板，如果是红色led等采用alingap类材料的led芯片，则使用 gaas等作为基
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40
g)技术直接在碳化硅(SiC)基板上刻出凹槽(trenches)，再利用旋转涂布法将半导体纳米晶体或荧光粉等荧光材料填入凹槽中，在凹槽间形成一个凸面桥，这个方法可以让白光led变得更
https://www.alighting.cn/resource/20081229/128651.htm2008/12/29 0:00:00
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上gan基led专利技术，美国cree公司垄断了SiC衬底上gan基led专利技术。因此，研发其他衬底上的gan基led生产技术成为国际上的一个热
https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00
