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片的同一侧，电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的led芯片的两个电极分别在led外延层的两侧，由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极，使得电流几乎全部垂
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11
灯和荧光灯等通用性光源相比，距离甚远。因此，led要在照明领域发展，关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长技术和多量
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51
、采用更大尺寸晶圆制作工艺，也在不断的降低成本，近年来每年在以20%速度降低中，如果能把目前的封装成本从占总成本的50%降低到20%~30%，led照明的应用会上到一个新数量级市场规
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261590.html2012/1/8 21:54:45
4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。 随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
是将精密机械氧造概念引入半导体氧程中,以自行设计的设备,结合反射镜及低温热压式晶圆黏贴技术,成功氧作出高反射率且散热良 好的新型超高亮度led。在 制程成本及复杂方面,还可以比美、
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261580.html2012/1/8 21:53:41
色。 最近，欧司朗光电半导体开发出一种制造led的新方法，一种称为“薄膜”的工艺。在“薄膜”工艺中，led晶圆采用与传统alingap和ingan晶圆同样的工艺制造，一个不同点就
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261571.html2012/1/8 21:51:11
时的市场竞争力是观察重点。樊总表示，要把成本做的最低一定要做整个产业链，真明丽的经验可供同行参考，主要有以下几个要求：第一，要做全产业链。真明丽拥有从led上游外延片芯片至下游应
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261568.html2012/1/8 21:51:09
d上游衬底材料、外延片、芯片生产上核心专利和领先技术，成为产业界的龙头，韩国和中国台湾地区通过技术跟踪和规模化发展成为全球重要的led生产基地，而中国大陆、马来西亚等国家和地区在技
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261569.html2012/1/8 21:51:09
力的企业在上游的外延片、芯片领域进行突破，从而带动广东led产业实现高端突破。总体来看，广东led产业正处于蓬勃发展阶段，并初步形成了较为完善的产业生态链。不过，业内专家也指出，广
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261565.html2012/1/8 21:50:57
们就必须选择更合适的封装结构，所以改变现有的封装结构，实现合理的封装成本，将是led照明被市场接受的最有效、最直接的途经。当然，led芯片随工艺、出货量增加、采用更大尺寸晶圆制作工
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261563.html2012/1/8 21:50:52
