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芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极管(leds)和激光二极管(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

新型高效而紧凑的白光led驱动方案

压,从而在整个电池使用周期间内不间断地为led稳定供电。lcd显示屏中使用的led驱动器有两个要求。首先它们要能准确控制和匹配每一个led的亮度,这将最大限度地保持显示屏背光的一致

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258585.html2011/12/19 11:01:36

oled 进入手机主显示应用

统非常复杂。ssd1338的驱动器采用复用的寻址算法,每个驱动周期由放电(复位),电压预充电和电流驱动三个阶段组成(如图3所示) 。  图形控制功能  ssd1338内建132x13

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258577.html2011/12/19 11:01:14

led芯片寿命试验

为室温(25℃±5℃);● 试验周期为96小时、1000小时和5000小时三种;工作电流为30ma是额定值的1.5倍,是加大电应力的寿命试验,其结果虽然不能代表真实的寿命情况,但

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258569.html2011/12/19 11:00:50

大电流led调光方法的对比分析

周期开始前,从所需的正向电流降低至零的时间;ddim_min表示最小占空比,即led电流由零升至所需的正向电流(if)的时间。从图1(a)可见,ddim_max和ddim_min用

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258568.html2011/12/19 11:00:47

大电流led调光方法的对比分析

围=ddim_max/ddim_min (3)式3表示pwm调光范围与最大、最小调光占空比之间的关系。对于给定的调光频率fdim,ddim_max表示最大占空比,即led电流在下一个调光周

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258567.html2011/12/19 11:00:45

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

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led照明设计知识

多考虑因素:机械连接、安装、维修/替换、寿命周期、物流等二、led驱动电源的拓扑结构采用ac-dc电源的led照明应用中,电源转换的构建模块包括二极管、开关(fet)、电感及电容及电

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258522.html2011/12/19 10:58:05

led概述

周期的量子阱。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子和空穴就会被推向量子阱,在量子阱内电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是led发光的原理。而光的波长也就是光的颜

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