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用GaN制造的蓝光led。蓝光led的开发使得有较宽光谱宽度的白光led研制成为可能。 目前，白光led通常是将GaN的蓝色led和钇铝石榴石荧光粉相结合，或者用红光led、绿
http://blog.alighting.cn/1062/archive/2007/11/26/8309.html2007/11/26 19:28:00
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282509.html2012/7/19 10:34:30
现缺陷、裂纹、晶片弯曲等。衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量，从而影响光效和寿命。如果采用GaN同质衬底进行外延生长，利用非极性技术，可最大限度地减少活性层的缺陷，使得led芯
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21
度降低缺陷密度。采用非极性衬底生长led，可作显示屏、电视、手机等背光源，没有取向性，不要外置扩散片。采用半极性、非极性蓝宝石和GaN衬底生长led的核心技术，已取得突破性进
http://blog.alighting.cn/188279/archive/2013/8/7/322937.html2013/8/7 9:30:39
剂在各种自然光照射下（无论在明亮处还在黑暗处）发生电子跃迁，在价带和导带上分别产生空穴和电子，电子和空穴快速迁移到材料表面上，并与表面上的吸附水和氧发生反应，生成的超氧阴离子自由基（×
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2010/12/17/121596.html2010/12/17 9:37:00
固、抗冲击、耐振动、性能稳定可靠、重量轻、体积小等一系列特性。近年来，led发展突飞猛进。其中基于氮化镓GaN材料的高亮度功率型半导体照明是化合物半导体乃至整个光电子和半导体产业
https://www.alighting.cn/resource/2009518/V854.htm2009/5/18 11:06:37
镓（inGaN ）led电容（capacitance）。为了增加电容，韩国研究人员改变了在生长量子阱前的10nm厚的n型GaN薄膜的硅掺杂浓度，浓度从3×1018 cm-3变到
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45324.html2010/5/22 22:19:00
发 光 原 理led作为第四代固体照明光源,有着极其广泛的应用前景.一.发光原理发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物.如gaas、gap、gaasp/gaalas、ingaalp、GaN
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229893.html2011/7/17 23:02:00
方的护理疗程，更能体验世外桃源般的独特享受：在世界顶级的spa馆，将印度洋的风光尽收眼底。在这里还能乘坐快艇前往GaN岛，还有脚踏车共游客骑乘前去探访周边5座由长17公里的公路相
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2013/8/27/324643.html2013/8/27 15:47:57
0公斤以上的污水，而不会渗漏和损坏，清洁完毕后，光幕仍完好如新。 4、造型功能：由于易饰天光幕是一种特殊高强度聚酯纤维布基结构材料，所以造型随意，多样。大面积使用更能体现简洁
http://blog.alighting.cn/renxin/archive/2009/5/4/3199.html2009/5/4 8:11:00
