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2月9日，记者从江西省科技厅获悉，江西省“大尺寸si衬底gan基LED外延生长、芯片制备及封装技术” 课题获得“十二五”国家高技术研究发展计划资助5000多万元，居全国14项课
https://www.alighting.cn/news/2012210/n117137431.htm2012/2/10 8:55:09
y reactor系统，用于氮化镓基超高亮度白光LED的生
https://www.alighting.cn/news/20090916/106054.htm2009/9/16 0:00:00
2007年5月14日，东芝松下显示技术公司（tmdisplay）最近计划使用玻璃磨削和LED背光技术，使12.1英寸ltps（低温多晶硅）面板的厚度及重量到2008年时分别减小到
https://www.alighting.cn/resource/20070516/128496.htm2007/5/16 0:00:00
光器的兼容性较差，兼容性问题使得适用可控硅调光的LED驱动方案设计难度高，推广过程中一直遇到成本高、效率低或调光器兼容性差的问
https://www.alighting.cn/resource/20140925/124262.htm2014/9/25 16:19:20
旺矽(6223)自结8月营收为新台币3.6亿元，连续2个月创下历史新高，年增率达2倍之多，累计前8月合并营收新台币20.55亿元，年增率147.69%。旺硅指出，在8月份出货
https://www.alighting.cn/news/20100913/96429.htm2010/9/13 0:00:00
台湾的璨圆光电股份有限公司所添置的crius? ii-xl反应器会用于量产基于InGaN材料的高亮度蓝光LED外延片制造。爱思强当地的技术支持团队将会在该公司位于台湾的技术先
https://www.alighting.cn/news/20111208/114757.htm2011/12/8 10:05:18
随着技术的发展，LED的效率有了非常大的进步。在不久的未来LED会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造LED芯片过程中首先在衬底上制作氮化鎵（gan）基的外延片(外延片)，外延片所
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00
日前，vishay intertechnology, inc.宣布推出新款具有高发光灵敏度和快速开关时间的高速硅pin光电二极管---tefd4300和tefd4300f，器件具
https://www.alighting.cn/pingce/20120224/122927.htm2012/2/24 16:22:50
在晶圆熔融键合技术上的最新进展已显示了它在提升键合对准精度上的能力过去的30年中，尺寸缩小和摩尔定律己成为硅平面工艺领域推动成本降低的主要动力。在这期间，主要的技术进步都
https://www.alighting.cn/resource/20141104/124133.htm2014/11/4 10:35:50
样，高亮度LED也未能摆脱众多家庭和应用中常见的三端双向可控硅(triac) 调光器。本文将介绍一种具成本优势的高亮度LED (hb LED) 调光方
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125646.htm2013/5/6 15:13:18
