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用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w～300℃/w，新的功率型芯片若采用传统式的led封装形
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00
电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w～300℃/w，新的功率型芯片若采用传统式的led封装形式，将
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230167.html2011/7/19 0:22:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230168.html2011/7/19 0:22:00
性，提高了芯片寿命。2）键合技术 algainp和algainn基二极管外延片所用的衬底分别为gaas和蓝宝石，它们的导热性能都较差。为了更有效的散热和降低结温，可通过减薄衬底或去
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00
构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w～300℃/w，新的功率型芯片若采用传统式的led封
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233183.html2011/8/20 0:25:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258469.html2011/12/19 10:54:58
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
d封装结构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18
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