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国 iii-n technology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258504.html2011/12/19 10:56:54
性是led照明产品生命周期的制约因素，散热设计一是要led芯片与散热器件路径尽量短，二是要有足够的散热路径以减少散热阻力。led照明的技术走向，主流光源应该是采用co
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258502.html2011/12/19 10:56:50
构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有：日本的nichia；美国的lumileds、gree；德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258489.html2011/12/19 10:56:09
小企业都很害怕，认为emc要求路灯生产企业要垫付整个工程费用，用后期的节约的电费来支付其工程款,周期长度不等，短期的为5年，有的可长达8年至多。这直接考验着企业的资金实力，具有很
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258478.html2011/12/19 10:55:41
4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。 随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
前必需解决的技术问题。目前，散热和可靠性是led照明产品生命周期的制约因素，散热设计一是要led芯片与散热器件路径尽量短，二是要有足够的散热路径以减少散热阻力。 led照明的技
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258472.html2011/12/19 10:55:30
灯和荧光灯等通用性光源相比，距离甚远。因此，led要在照明领域发展，关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长技术和多量
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258469.html2011/12/19 10:54:58
、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53
计的照明一致性需求，必需逐年周期性的变更并重新设计其leds灯具以及内部零组件方能达到此目的。一旦单颗leds封装的发光效率及总出光亮度产生变化，整个leds发光模块(发光引擎)、二
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258447.html2011/12/19 10:49:43
合ald与cvd的工艺技术和mocvd电场辅助生长，是昭信半导体mocvd设备的创新点。采用bds反应腔体，通过中心辐射流动与垂直喷淋流动的结合，吸收行星反应腔体层流，从而无需行
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258444.html2011/12/19 10:49:37
