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利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
1arcsec。硅衬底gan led理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
快速式气压压力变送器水压压力传感器 hdp503k扩散硅压力变送器（扩散硅压力传感器,扩散硅常压变送器,扩散硅常压传感器）采用不锈钢整体构件，进口弹性体原件，高精度应变计及先
http://blog.alighting.cn/hd2008sensor/archive/2010/4/22/41187.html2010/4/22 15:13:00
http://blog.alighting.cn/hd2008sensor/archive/2010/4/22/41188.html2010/4/22 15:13:00
视接收执行输出变压器高压输出、连接高压整流硅与显像管高压极以及气压电子仪器仪表内部作高压安装
http://blog.alighting.cn/dingzun/archive/2010/5/7/43269.html2010/5/7 10:26:00
线 jehjfeh 铜芯乙丙橡皮绝缘氯磺化聚乙烯护套电机绕组引接线 jemjfem 铜芯乙丙橡皮绝缘氯醚护套电机绕组引接线 jgjhg 铜芯硅橡皮绝缘电机绕组引接
http://blog.alighting.cn/spccable/archive/2010/7/18/56521.html2010/7/18 13:01:00
金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如sio2 或 si3n4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进
http://blog.alighting.cn/isbelle/archive/2010/9/18/97693.html2010/9/18 11:39:00
准是： semi t20.3,半导体及相关产品鉴定的服务通讯规范 semi e158,用于传送和储存450mm晶圆的晶圆传送设备的机械规范 semi m76,450mm抛光单晶硅晶
http://blog.alighting.cn/fsafasdfa/archive/2011/4/18/166032.html2011/4/18 22:46:00
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246934.html2011/10/20 17:48:06
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2011/11/14/252812.html2011/11/14 15:41:42
