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升41.0%。在pss上制备的大功率芯片，封装后在350ma电流驱动下光效达到85lm/w。另外pss制备的大功率芯片具有良好的可靠性和稳定性，350ma和700ma下老化100
https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44
led 正向偏压关于电流阶跃的响应曲线包含了大量led 系统热阻热容的结构信息. 通过对led 施加电流阶跃后电压响应曲线的测量和简单拟合, 试图提取led 封装结构中的热阻、热
https://www.alighting.cn/2012/3/12 13:13:30
采用高温固相反应方法制备了用于白光发光二极管的sr3sio5:eu2+发光材料. 测量了eu2+掺杂浓度为0.01 mol时样品的激发与发射光谱, 其均为多峰宽带, 发射光谱主峰
https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:16:05
关,生长温度由800℃降低到740℃,in组份的从0.22增加到 0.45 ;室温ingan光致发光光谱(pl)峰全半高宽(fwh m)为15.5 nm;ingan/gan量子阱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-moCvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
利用透射光谱矩阵光学原理,对三种gan或algan外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06
设计了利用多颗led(light emitting diode,发光二极管)阵列组成的扩展面光源.经过合理的聚光设计使之符合某些投影设备对亮度要求不是很高,但结构紧凑、性能稳定
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127163.htm2011/9/13 8:58:08
利用含3%(质量分数)水的乙醇为碳源,在a面(11-20)蓝宝石单晶表面合成了平行于[1-100]晶格方向的单壁碳纳米管阵列,并用afm,sem和raman对其进行了表征.阵列
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127195.htm2011/9/5 14:58:35
x射线摇摆曲线中,其(0002)面及(10-12)面的半峰全宽分别降低至202.68 arCseC,300.24 arCseC。透射光谱中,其透射率最高,调制深度最大;光致发光谱的
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39
