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论的行业《标准》中，对于“最大亮度”这个重要性能没有给出明确的特性要求，这是符合gb/t1.2-2002的。在《标准化工作导则第２部分：标准中规范性技术要素内容的确定方法》的”5.4.
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262647.html2012/1/29 0:35:29
镜配光技术，通过精密的光学设计，发光角度达到145°x70°2.具有独立自主的知识产权设计，融合了国外先进科研院所的最新研发成果，符合美洲地区道路照明type ii标准。3.采用国
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262746.html2012/1/29 0:42:27
D照明散热技术大功率leD照明光源需要解决的散热问题涉及以下几个环节：1、 晶片pn结到外延层； 2、 外延层到封装基板； 3、 封装基板到外部冷却装置再到空气。半导体元器件通常对
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262808.html2012/1/29 0:46:22
展大大有利。3.占空比就象上面所说的“性能原则”“只要可能，要求应由性能特性来表达，而不用设计和描述特性来表达，这种方法给技术发展留有最大的余地”。我们认为，“占空比”纯属一个设计技
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263055.html2012/1/29 23:31:59
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263244.html2012/1/29 23:41:52
亚洲几个国家早在3至4年前做好leD产业发展及产品推广等战略部署，如日本的“21世纪照明”计划、韩国的“固态照明计划”、台湾的“新世纪照明光源开发计划”、中国的“半导体照明产品应
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263591.html2012/2/4 14:45:47
来，主要是因为有以下几个重要问题：一是硅的缺陷比较多，它的发光效率比较差。二是用硅做外延成长时，由于硅本身会吸收光线，因此必须把硅拿掉，用别的基材(不管是用金属还是其他基材)来做光
http://blog.alighting.cn/87771/archive/2012/2/13/263998.html2012/2/13 10:27:30
于leD灯工作电压低（红黄橙 leD工作电压1.8v-2.2v,蓝绿白leD工作电压2.8-3.2v），一般都要用串、并联来联接，来适应不同的工作电压，串联的leD灯越多影响越
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/2/29/265106.html2012/2/29 15:14:13
下： 例如，在一个输入为24v的leD灯具中，采用了8颗1w的大功率leD串联起来。在正向电流为350ma时，每个leD的正向电压是3.3v，那么8颗串联就是26.4v，因此负
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/3/12/267517.html2012/3/12 11:31:28
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267565.html2012/3/12 19:23:39
