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斑和暗区等不良的现象。通过模拟实验,可以得到光源出射均匀度为80.06%的导光
https://www.alighting.cn/2013/3/26 13:37:06
微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高led器件的可靠性。通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方法,为gan-led外
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
色坐标的精确控制。实验结果显示,该方法可以将led显示屏显示色域精确校正到目标色
https://www.alighting.cn/resource/20130320/125844.htm2013/3/20 13:31:52
射率以及透镜尺寸,得到了不同结构参数下的光强分布。实验结果表明:反光碗张角、支架插入深度、封装环氧树脂折射率以及透镜尺寸对led光强分布的影响有一定的规律性,这些规律对生产特定照
https://www.alighting.cn/resource/20130305/125963.htm2013/3/5 10:13:11
浮充特性;设计一种基于hv9930控制芯片的led恒流驱动电路。构建实验系统，测试表明，控制器可以根据蓄电池状态准确地在mppt、恒压、浮充算法之间切换，mppt充电效率较恒压充
https://www.alighting.cn/2013/1/29 14:41:28
、verification。fccverification自我认证只要获得了fcc认可的实验室均可签发此类报告。主要针对的产品包括：av类产品、有绳电话、普通家用电器、pc及pc周
http://blog.alighting.cn/karry617/archive/2010/3/16/36610.html2010/3/16 10:03:00
采用分子束外延方法在室温下于si(001)表面上生长zno材料。实验发现:样品为闪锌矿和六角结构的zno混合多晶薄膜,其表面分布着一系列具一定取向的近似长方形的纳米台柱结构。在不
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126988.htm2011/10/20 14:37:15
测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
利用透射光谱矩阵光学原理,对三种gan或algan外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06
gan基led的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40
