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为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片，

https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08

、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于gan（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。　　led芯片的制

http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9232.html2008/10/30 20:16:00

大家都是电子行业的人，对芯片，对各种封装都了解不少，但是你知道一个芯片是怎样设计出来的么?你又知道设计出来的芯片是怎么生产出来的么?看完这篇文章你就有大概的了解。

https://www.alighting.cn/resource/20160617/141263.htm2016/6/17 9:57:03