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芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

高亮度led发光效益技术

高亮度led虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点,但仍得面对静电释放(esd)损害和热膨胀系数(tce)等效能瓶颈;本文将提出一套采次黏着台(submoun

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258579.html2011/12/19 11:01:19

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35

2048像素led平板显示器件的封装

示器厚膜电路衬底片材料采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258553.html2011/12/19 10:59:24

2048像素led平板显示器件的封装

图1)。3材料选用3.1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底片材料采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底片能够良好匹配外,还

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258549.html2011/12/19 10:59:12

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07

led知识概述

管的结构分有全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构。  4. 按发光强度和工作电流分  按发光强度和工作电流分有普通亮度的led(发光强度100mcd);把发

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258532.html2011/12/19 10:58:35

led知识

led的构造其实非常简单:一般来说,就是一个方形的二极管片装在一个塑料、树脂或是陶瓷底座的特殊环氧层中。处于半导体中心部位的电子可以通过传感原料,转换生成灯光,而封贴在“罩状”环

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258529.html2011/12/19 10:58:25

led散热铝础知识

目前,led应用的散热问题是led厂家最头痛的问题。散热板是一种提供热传导的媒介,led→散热板→散热模块,它可以增加led底部面积,增加散热面积,主要由铜箔电路/陶瓷粉末

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258527.html2011/12/19 10:58:20

led知识介绍

属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构。4.按发光强度和工作电流分按发光强度和工作电流分有普通亮度的led(发光强度10mcd);超高亮度的led(发光强度10

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