站内搜索
年，国内企业芯片营收增长23%，达到80亿元。2011年，国内GaN芯片产能利用率在50%左右，全年产量仅为1150亿颗，产量增速为63%，远大于产值增速。整体来看，芯片的国产化率
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/9/306822.html2013/1/9 11:01:45
石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15μm的mg掺杂GaN。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
对于一般照明而言，人们更需要白色的光源。 1998 年发白光的 led 开发成功。这种 led 是将 GaN 芯片和钇铝石榴石（ yag ）封装在一起做成。 GaN 芯片发蓝
http://blog.alighting.cn/ggzhaoye/archive/2010/7/8/54597.html2010/7/8 14:34:00
田村制作所及其子公司光波公司近日展出了其开发的使用氧化镓(β-ga2o3)的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同
https://www.alighting.cn/pingce/20130122/121938.htm2013/1/22 9:15:25
近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，led已经开始在照明领域里初步应用，出现了le
https://www.alighting.cn/resource/2008429/V15378.htm2008/4/29 13:25:44
led外延作为led产业链的核心环节，从2009年开始，在中国下游应用市场高速发展的带动下，中国GaN mocvd数量开始爆发性增长，使得中国led外延产业得到快速发展。2010
https://www.alighting.cn/news/20111121/n384835887.htm2011/11/21 11:31:27
本文主要阐述了algainp led和GaN led芯片技术的研究发展情况及其led外部量子效率低的现状，介绍了改善电注入效率和提高芯片出光效率的几种方法，如芯片塑形、表面粗化
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22
出。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光
https://www.alighting.cn/news/2013122/n276448351.htm2013/1/22 14:18:06
术(metalbonding)，将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能
https://www.alighting.cn/resource/20140716/124444.htm2014/7/16 9:52:01
与sic和GaN相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
