站内搜索
合而成。世界著名建筑设计师larry k oltmans担纲设计，其灵感取自钻石切割工艺的菱形兀面，并以现代内敛、高雅简约的设计风格淋漓展现永恒价值理念，让建筑体成为不可复刻的经
https://www.alighting.cn/case/2013/11/11/175727_00.htm2013/11/11 17:57:27
时。轻质合金外壳并经过高科技表面喷涂工艺处理， 结构轻巧，抗强力冲击、耐强酸碱腐蚀。灯头照射角度可根据现场工作需要进行调节，实现光线定位，照明无死角。高能无记忆电池，容量大，自放电率
http://blog.alighting.cn/haiyangrongrong/archive/2009/6/4/11738.html2009/6/4 10:45:00
新急流城美术馆位于密西根州的大急流城(grand rapids)中心的一个街区。大急流城以其商业，工艺和现代设计的传统优势和影响力而出名，它是众多国际公司的大本营-安利，斯蒂尔凯
https://www.alighting.cn/case/2012/8/2/105044_33.htm2012/8/2 10:50:44
d 封装中散热性能所导致的led 可靠性问题，还可以通过对工艺的更新，提高生产效率，降低成本，极大的提高产品的性价
https://www.alighting.cn/2013/11/19 13:58:41
呢，其实你用多只led串联的做法也是就是第一种高压led的应用;而第二种呢，也就是led上游芯片厂家通过特殊工艺制程将多颗vf值在3.2v左右的led芯片串联方式联接做在一片基片上
https://www.alighting.cn/2013/10/30 10:56:19
利用低压化学气相淀积工艺在6h-sic衬底成功制备了sicge薄膜。通过光致发光(pl)谱研究了生长温度对sicge薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980,103
https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
研究了利用荧光颜料和ingan蓝光芯片制成掺杂led,根据光转换原理,得到白光led的可能。文章首先对比了普通方法和二次点胶法封装的led,表明二次点胶法工艺复杂,封装的led亮
https://www.alighting.cn/resource/20130402/125779.htm2013/4/2 16:10:14
律;同时将刻蚀gap材料应用到红光led制作,即电流阻挡层和表面粗化这两种工艺中,通过大量试验,得到了刻蚀形貌和最优的刻蚀条件,制作阻挡层的最优条件为:bcl3流量比为3/1,ic
https://www.alighting.cn/resource/20130401/125782.htm2013/4/1 11:25:24
明：衬底温度对zno 薄膜的表面形貌、光学特性、结构特性都是重要的工艺参量，尤其在500 ℃时沉积的zno 薄膜致密均匀，并表现出较强的紫外发射
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10
