站内搜索
光灯等通用性光源相比，距离甚远。因此，led要在照明领域发展，关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长技术和多量子
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230167.html2011/7/19 0:22:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230168.html2011/7/19 0:22:00
个过程中,外延片有可能碎裂、局部残缺碎裂或局部残缺,使得实际的芯片分布与储存在分选机里的数据不符,造成分选困难。 从根本上解决芯片测试分选瓶颈问题的关键是改善外延片均匀性。如果一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230127.html2011/7/18 23:59:00
高还需要从大功率白光led的外延技术、芯片工艺等基础层次进一步提升。在二次光学设计方面,led的辐射形式有朗伯型、侧射型、蝙蝠翼型和聚光型几种。在道路照明领域,根据设计经验朗伯型和蝙
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230109.html2011/7/18 23:50:00
型led封装技术主要应满足以下两点要求：①封装结构要有高的取光效率；②热阻要尽可能低,这样才能保证功率led的光电性能和可靠性。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长技
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00
3)?;硅 (si)碳化硅(sic)[/url]蓝宝石衬底通常,gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
小功率led 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始,由于led 外延芯片技术上的突破,使超高亮四元系algainp 和gan 基的led 既能发射可见光波长的光可组合各种颜色和白
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
示、高效率太阳能电池的优良半导体材料。一、制造inn薄膜目前存在的难题制备高质量的inn体单晶材料和外延薄膜单晶材料是研究和开发inn材料应用的前提。但是,制造inn薄膜有两大困
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
早期在小积体电路时代,每一个6?嫉耐庋悠?上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8?嫉耐庋悠?上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动蓓投资数百亿,但
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
由led工作原理可知,外延材料是led的核心部分,事实上,led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。发光二极管对外延片的技术主要有以下四条：?ゼbr①禁带宽
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
