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](1)、生长速率mocvd生长过程是由三甲基镓(tmg)扩散到衬底来控制,而不是表面动力学反应。在富砷条件下,其生长速率只取决于tmg压力,而与砷气压无关；而且在生长温度等于50
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
至适当温度的gaas衬底基片上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到gaas衬底表面,生长出具有特定组分,特定厚度,特定电学和光学参数的半导体薄膜外延材料。iii族与v族的源物
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
此 避免了gan和腌膜材料之间的接触。5.研发波长短的uv led晶圆材料它为发展uv三基色荧光粉白光led奠定扎实基矗可供uv光激发的高效荧光粉很多,其发光效率比目前使
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
．材料制备的难易程度及成本的高低：考虑到产业化发展的需要,衬底材料的制备要求简洁,成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。当前用于gan基led的衬底材料比较多,但是能用于商品化的
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
用纯净的碳化硅(sic)材料研制出了第一个“真正的蓝光”led,但是它们的发光效率非常低。下一代器件使用 了氮化镓基料,其发光效率可以达到最初产品的数倍。当前制造蓝光led的晶体外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229889.html2011/7/17 23:00:00
己开发的led驱动器、mosfet和肖特基二极管实现,其中120w led照明驱动电源还配有完备的短路、开路保护功能,并通过emc认证测试。这二款产品的工作寿命均长达8万小时,有效克
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229887.html2011/7/17 22:56:00
成电路的封装尺寸比异步解决方案的更大。在异步拓朴中，通路部份是以萧特基二极管(schottkydiode)的形式实现。与采用开关电容器的升压比较，电感式升压所多占的空间主要来自电感
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229833.html2011/7/17 22:26:00
应稳定在额定值的± 0. 2% 的范围内，基波频率偏差不得大于0. 1% ，谐波失真小于3% ; 寿命试验的电源电压应稳定在± 2% 以内。 在led 驱动方面，通常使用恒流驱
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229831.html2011/7/17 22:24:00
2年将实现逆转。另外，照明用途也在不断扩大，估计到2013年将增长至整体的约两成。在照明用途中，不仅是住宅用途，店铺商业设施及道路用途等也有望实现大幅增长。”台湾业内资深分析师郭子
http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/7/17/229807.html2011/7/17 20:12:00
