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需经过芯片(chip)本身的半导体介质和封装介质才能抵达外界(空气)。综合电流注入效率、辐射发光量子效率、芯片外部光取出效率等，最终大概只有30-40%的输入电能转化为光能，其余60
https://www.alighting.cn/2013/10/16 10:26:01
小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(eqe)比老化前低;老化前后eqe衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异,衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
果表明,大功率led 的光输出随时间的衰减呈指数规律,缺陷的生长和无辐射复合中心的形成,荧光粉量子效率的降低,静电的冲击,电极性能不稳定,以及封装体中各成分之间热膨胀系数失配引起的机
https://www.alighting.cn/resource/20060801/128938.htm2006/8/1 0:00:00
物灯光量子数检测;其更利用自有微型光谱仪技术、搭配内建锂电及触控萤幕的设计，让量测仪便于携带至植物工厂内直接量测、即时获得所需数
https://www.alighting.cn/news/201364/n119952439.htm2013/6/4 9:56:54
５ｌｍ/ｗ，甚至有更高的报道，它的光效提高趋势是传统光源望尘莫及的。 一般而言，ｌｅｄ发光效率提高的途径主要是通过改进其内量子效率和外量子效率。内量子效
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268488.html2012/3/16 13:47:07
光到底是什么?这是一个值得研究和必须研究的问题。 当今物理学家已经达到了一个瓶颈：即相对论与量子论的冲突;到底光的本质是基本微粒还是像声音一样的波? 目前比较合理的观点是：
http://blog.alighting.cn/130803/archive/2013/1/28/308802.html2013/1/28 11:58:54
平光效可以达到276lm/w。在led芯片成本下降和光效提升的这一竞赛中，目前正遇到以下几个发展瓶颈。 第一是蓝光芯片存在的droop效应。在大电流密度条件下，发光二极管的外量
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21
为组件的外部量子效率，其为组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积。所谓组件的内部量子效率，其实就是组件本身的电光转换效率，主要与组件本身的特性（如组件材料的能带、缺陷、杂质）、组
http://blog.alighting.cn/205379/archive/2014/4/25/350835.html2014/4/25 21:42:33
倍，令结点电流增强4倍，从而使光电转化率提高约4.25倍。而在合适外应力的作用下，新装置的外部效率可达到7.82%，大大超过了传统led的外量子效
https://www.alighting.cn/news/20111102/100248.htm2011/11/2 9:05:30
