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d封装结构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

d封装结构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w～300℃/w，新的功率型芯片若采用传统式的led封

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51

d封装结构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w～300℃/w，新的功率型芯片若采用传统式的led封

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56

构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w～300℃/w，新的功率型芯片若采用传统式的led封

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22

感磁饱和以及功率开关管硬开关有关故障的保护控制功能。ｌ６５２０/１可以适应－２５℃～８５℃的宽工作温度范围，可降低电子镇流器的设计和采购成本。ｌ６５２０可用于ｆｌ或ｃｆｌ荧光灯驱

http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268489.html2012/3/16 13:48:36

构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w～300℃/w，新的功率型芯片若采用传统式的led封

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271153.html2012/4/10 20:57:59

d封装结构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

d封装结构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09