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、黄、绿等多种单色led，并用于各种信号指示、标识、数码显示，逐步发展到小型led显示屏等。1991年业界采用mocvd外延生长四元系材料，开发出高亮度发光二极管；1994年在ga
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222094.html2011/6/19 23:18:00
展的发光二极管给未来照明带来曙光。1996年，日本日亚化学公司在GaN蓝光发光二极管的基础上，开发出以蓝光led激发钇铝石榴石荧光粉而产生黄色荧光，所产生的黄色荧光进而与蓝光混合产
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222046.html2011/6/19 22:53:00
路基板试验方法”. 不过，led用印制电路板并非我们某些人认为的仅是采用金属基（铝基）覆铜板的pcb,而是根据不同用途，有的采用一般fr-4、fr-5、cem-3、挠性聚酰亚胺
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222036.html2011/6/19 22:48:00
造流程是：首先在外延片顶部的p型GaN上淀积厚度大于500a的niau层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出n型层；经淀积、刻蚀形成n型欧姆接触
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
须在布局、材料和工艺等方面对器件的热系统进行优化预设。在布局方面，国际上主要开发了硅基倒装芯片（fcled）布局、金属线路板布局、微泵浦布局等形式，确定封装布局后，可通过选取不同的材
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222025.html2011/6/19 22:44:00
光输出相对结温25℃时降低约11%. 目前，使用最多的GaN基白光led的温度系数大多在2.0×10-3~4.0×10-3之间，有的甚至达到了5.0×10-3.k值偏大的le
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222019.html2011/6/19 22:40:00
光膜的一定是化合物半导体，常用的比如砷化钾，其中砷是有毒的，是受控制的东西，所以我们在生成的时候必须要有个基膜，生成完以后，我们把上面真正发光的部分剥离，下面的舍弃，剥离出来的东
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/221998.html2011/6/19 21:52:00
d了。 外延片也是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是p型衬底硅（有的加点埋层）；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221803.html2011/6/18 23:09:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221788.html2011/6/18 22:58:00
率led路灯的光源采用低压直流供电、由GaN基功率型蓝光led与黄色荧光粉合成的高效白光二极管，发光二极管(lightemittingdiode，简写为led)是基于半导体pn结形
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221772.html2011/6/18 20:17:00
