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解析大功率白光led散热与寿命问题

用芯片表面制程改善 也可强化led光输出量除了增加芯片面积或数量是最直接的方法外,也有另一种针对芯片本身材料特性的发光效能改善。例如,可在led蓝宝石基板上制作不平坦的表面结构,利

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/9/19/290418.html2012/9/19 20:58:33

类钻碳镀层led基板的介绍

类钻碳镀层led基板的介绍:led的金属基板上镀一层dlc薄膜,形成高性能导热镀膜,能使led芯片所产生的热量快速散去,降低led芯片温度,使led芯片在更低的温度下工作,降

  https://www.alighting.cn/resource/20120919/126363.htm2012/9/19 19:27:53

led的ltcc封装基板研究

ltcc基板广泛应用于先进的led封装技术。阐述了led的陶瓷封装基板的特点,介绍了制造ltcc封装基板的生瓷片性能和制造工艺,通过对ltcc基板热电分离结构的优点分析,指出金

  https://www.alighting.cn/2012/9/19 18:55:20

科锐推最新低基面位错100毫米4h碳化硅外延

科锐功率器件与射频(rf)首席技术官 john palmour 表示:“碳化硅双极型(bipolar)器件的发展长期以来受制于基面位错引起的正向电压衰减。该款低基面位错材料能够用于

  https://www.alighting.cn/news/20120919/113213.htm2012/9/19 15:00:25

科锐推出低基面位错4h碳化硅外延

科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1 cm-2,引起vf偏移的基面位错容量小于0.

  https://www.alighting.cn/news/2012919/n001043708.htm2012/9/19 14:16:38

电子束辐照对GaN基led发光性能的影响

研究了不同能量的电子束辐照对GaN基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaN基led外延片进

  https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14

大功率集成led光转换光源的研制

介绍了一种应用远程激发技术的大功率集成led光转换光源,通过使用固晶区无绝缘层的镜面铝基板进行集成封装蓝光led光源,即cob光源。所制蓝光光源与远程激发荧光粉模块结合制成led

  https://www.alighting.cn/2012/9/18 18:55:48

led蓝宝石衬底研磨三部曲

led芯片研磨制程的首要动作即“上腊”,这与硅芯片的cmp化学研磨的贴胶意义相同。将芯片固定在铁制(lapping制程)或陶瓷(grounding制程)圆盘上。先将固态蜡均匀的涂抹

  https://www.alighting.cn/resource/20120918/126383.htm2012/9/18 17:17:39

浪潮华光两项省级信息产业发展基金课题通过验收

9月14日上午,由山东浪潮华光光电子股份有限公司承担的2010年山东省信息产业发展重大专项——“半导体照明用高性能led外延片及芯片产业化”和2011年信息化专项——“基于

  https://www.alighting.cn/news/2012918/n181843633.htm2012/9/18 16:12:40

浪潮华光承担的两项省级信息产业发展基金课题顺利通过验收

9月14日上午,由山东浪潮华光光电子股份有限公司承担的2010年山东省信息产业发展重大专项——“半导体照明用高性能led外延片及芯片产业化”和2011年信息化专项——“基于

  https://www.alighting.cn/news/20120918/112826.htm2012/9/18 15:29:59

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