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业有关，缺乏有组织、有计划的规模性的研发设计投入。 (七)led封装工艺 led封装工艺包括固晶参数工艺、焊线参数工艺、封胶参数工艺、烘烤参数工艺、分光分色工艺等。随着中
http://blog.alighting.cn/worldled/archive/2010/12/9/119424.html2010/12/9 21:51:00
3)经过纳米技术工艺处理的触媒，可在含有微弱紫外线的灯光、自然光、阳光等多种光源下发挥作用；(4)完全无害，由于纳米二氧化钛本身不释放出有害物质且本身不参与反应，在反应过程中将所作
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2010/12/13/120322.html2010/12/13 10:38:00
能要好,剪切强度一定要大,且粘结力要强。 二 led封装工艺 1. led的封装的任务 是将外引线连接到led芯片的电极上,同时保护好led芯片, 并且起到提高光输出效率的作
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120405.html2010/12/13 14:40:00
于道路和街路照明用的灯具 3.4路面平均照度 按照cie有关规定在路面上预先设定的点上测得的或计算得到的各点照度的平均值 3.5路面照度分布 由实际测得的一系列等照度线
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120494.html2010/12/13 22:32:00
明应用工程试点政策，虽说是透过中央政策创造出市场需求的经济发展典范，但是就厂商实际接案的第一线响应却不如预期。 政策与市场的落差，除了led标准尚未全然规范可供厂商遵循外，另一个潜
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120525.html2010/12/13 22:55:00
品免受雷电损害。邻近着地雷或高空雷都可能在初级和次级电路中产生电压，而直接雷击能够在交流电源和电话线中产生高压电涌。在敏感电路中粘着的mov器件可以将雷击带来的不利影响最小
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120526.html2010/12/13 22:55:00
型（axt2400）mocvd在河北汇能公司投产，从此结束了我国超高亮度led外延片全部依赖进口的局面，1999年国内第一条ingaalp超高亮度红（橙、黄）光led芯片生产线在河
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
试的难题，掌握了制备高效pdp用荧光粉的全套工程化技术，在北京有色金属研究总院建成国内第一条pdp荧光粉的中试线，为我国pdp荧光粉的产业化打下了良好的基础。 日本1999年pd
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120554.html2010/12/13 23:05:00
性，还必须具有低吸水率。如果所用环氧树脂封装材料的耐湿性不好，则封装件金属配线易被腐蚀钝化；另一方面，如果封装件处在高温高湿环境中，则水分易从封装材料和引出线框界面或孔隙处浸入，使配线结
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120555.html2010/12/13 23:05:00
位设计成环状、带状等各种结构，局部照亮草坪;同时成为白天环境中的装饰元素。常用产品额定工作电压ac220v，控制方式多为内控（在需要同步变化的场所可利用同步线实现强制同步）。实际工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120558.html2010/12/13 23:06:00
