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led新契机:成本改善旨在基板?

2 taipei的研讨会上,有专家提出改善led成本与制程的产业新思维,其中,全面朝向非蓝宝石基板方案(non-sapphire substrate solution)的新技术方向,引起了le

  https://www.alighting.cn/news/20121112/n103445689.htm2012/11/12 15:20:50

高亮度led照明应用开发必需克服的技术挑战

led发光效能持续提升,为了达到高亮度的要求,也让单一组件的功率增加不少,尤其是随之而来的运行高热状况,很可能就因为高热问题,使组件的光衰或寿命相对减低,而在组件方面若能在前段制

  http://blog.alighting.cn/biyesheng/archive/2012/11/7/296497.html2012/11/7 10:58:01

友达发表65寸4k2k igzo液晶屏技术

友达光电,日前发表65寸4k2k igzo超高解析液晶电视屏技术,采用氧化铟镓锌(igzo)制程,实现3840x2160相当于四倍full hd的高精细化分辨率(ultra h

  https://www.alighting.cn/pingce/20121030/122403.htm2012/10/30 9:42:35

雪莱特与台积固态照明宣布正式结成联盟

立于2011年,承接原台积电led新事业部在led磊晶及封装制程的研发成果,继续以丰富的半导体制程能力与严谨的质量控管流程,投入led在发光组件的开发。近日已成功推出多款效率及质量

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/10/29/295197.html2012/10/29 16:43:43

led蓝宝石基板与芯片背部减薄制程

目前在led制程中,蓝宝石基板虽然受到来自si与gan基板的挑战,但是考虑到成本与良率,蓝宝石在近两年内仍然具有优势,可以预见接下来蓝宝石基板的发展方向是大尺寸与图案化(ps

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/10/20/294028.html2012/10/20 18:36:51

led芯片制造及应用国际研讨会盛大召开

延芯片研发及关键技术,图形衬底led的mocvd外延生长,gan led外延技术的最新进展,led多量子阱外延芯片的关键技术,led制程量产技术的发展等议题展开演讲与探讨。  本

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293940.html2012/10/19 22:34:59

led芯片制造及应用国际研讨会盛大召开

延芯片研发及关键技术,图形衬底led的mocvd外延生长,gan led外延技术的最新进展,led多量子阱外延芯片的关键技术,led制程量产技术的发展等议题展开演讲与探讨。  本

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293844.html2012/10/19 22:31:18

led蓝宝石衬底与芯片背部减薄制程技术

蓝宝石衬底虽然受到来自si与gan衬底的挑战,但是考虑到成本与良率,蓝宝石在近两年内仍然具有优势,可以预见接下来蓝宝石衬底的发展方向是大尺寸与图案化(pss)。由于蓝宝石硬度仅次于

  https://www.alighting.cn/resource/20121018/126325.htm2012/10/18 10:48:12

led芯片制造及应用国际研讨会盛大召开

延芯片研发及关键技术,图形衬底led的mocvd外延生长,gan led外延技术的最新进展,led多量子阱外延芯片的关键技术,led制程量产技术的发展等议题展开演讲与探讨。  本

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/10/17/293388.html2012/10/17 14:45:53

delo发表固化灯和光固化黏着剂

delo 推出led固化灯和最新研发的专用黏着剂系列产品,两者搭配使用可让客户实现快速有效的生产制程。delo 国际业务部总监robert saller表示:“delo最新推

  https://www.alighting.cn/pingce/20121016/122428.htm2012/10/16 10:25:01

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