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金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如sio2 或 si3n4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271605.html2012/4/10 23:10:53
是决然的剥离，也不是决然的通透。 经过长时间筛选，最终，我们选用了两层透明度不同的棉纱作为主体隔断，结合热烫胶印图案。棉纱作为软隔断，其特点就是具有极强的柔韧性和温暖的触感，同时
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271307.html2012/4/10 21:34:13
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271191.html2012/4/10 21:03:06
、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07
点。这样既可满足单块pcb板上片式led数量的要求，又不至于使压模成型后胶体收缩造成的pcb板形变过大。pcb板形变较大会造成pcb板无法切割及切割后胶体与pcb板易剥离。pcb
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271155.html2012/4/10 20:58:03
是在外延层下增加了牺牲层(图1)。晶圆被翻转并贴在一个支撑板上，它含有几个能够提供高反射镜面的元件。然后，通过剥离将最初的衬底去掉。不同剥离技术的运用，要视衬底为alingap还
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271130.html2012/4/10 20:55:38
量和改善器件性能。对于提高外量子效率，其方向主要是从芯片技术角度出发，通过对芯片结构优化设计，如优化衬底剥离技术、表面粗化技术和采用光子晶体结构等，这些技术措施同时也能提高芯片内量
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268488.html2012/3/16 13:47:07
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268383.html2012/3/15 22:02:42
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268357.html2012/3/15 21:57:16
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13
