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测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
性的高功率led封装基板。显示器的发展趋势除了轻薄短小的可携性外，更希望使用时显示功能达到大画面且影像品质真实细緻的目
https://www.alighting.cn/resource/20071116/129096.htm2007/11/16 0:00:00
一种简单的方法是，使用一个能够将电源电压转换为 dc 输出电压(例如：12 伏或 24 伏)的电源;然后，让并联 led 串在这个电源下工作，并在每个串中使用电阻器来调节电流。这
https://www.alighting.cn/resource/20110615/127502.htm2011/6/15 17:02:23
在介绍开关功率放大器已有控制方案的基础上，提出了改进建议，使之具有稳定直流侧中点电位的功能。就改进的控制原理进行了详细的分析和说明，并设计了一个1kw2khz的实验模型，验证了方
https://www.alighting.cn/resource/200728/V12352.htm2007/2/8 11:39:34
一种新型小功率灯用电子触发器，包括振荡回路和分压触发回路，所述振荡回路包括镇流器、储能电容、过压保护电路、电子开关，储能电容的一端串接高速熔断器后接入镇流器的抽头端
https://www.alighting.cn/resource/200728/V8769.htm2007/2/8 11:38:17
采用四线测量方法或者kelvin测量方法将smu与器件相连接。通过感 应dut[device under test]周围而不是smu[源测量单元]source measure un
https://www.alighting.cn/resource/20100529/129037.htm2010/5/29 0:00:00
利用含3%(质量分数)水的乙醇为碳源,在a面(11-20)蓝宝石单晶表面合成了平行于[1-100]晶格方向的单壁碳纳米管阵列,并用afm,sem和raman对其进行了表征.阵列
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127195.htm2011/9/5 14:58:35
器热阻，℃/w;tj─── 发热源器件自有温度，℃;tc───发热源器件表面壳温度，℃;tf─── 散热器温度，℃;ta─── 环境温度，℃;pc───器件使用功率，w;δtfa
https://www.alighting.cn/resource/20150311/83326.htm2015/3/11 16:07:49
随着led技术的发展，led的应用已经从传统的小功率便携产品背光拓展至中大功率的室内照明、室外照明及手电筒等应用。
https://www.alighting.cn/resource/2009716/V20255.htm2009/7/16 10:39:58
β-ga2o3不仅可用于功率元件，而且还可用于led芯片、各种传感器元件及摄像元件等，应用范围很广。其中，使用gan类半导体的led芯片基板是最被看好的用途。尤其值得一提的是，
https://www.alighting.cn/2012/4/24 15:35:09
