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采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
继海南圣来科技等重点项目落户江北后产业集中区后，又一重大项目落户该区。此次签约的发光二极管(led)蓝宝石衬底材料项目处于led产业链的上游，投资体量大，该项目对于加快提升江北产
https://www.alighting.cn/news/20110601/100675.htm2011/6/1 10:57:57
水晶光电公布增发方案，拟非公开发行不超过2000万股(发行价格不低于35.95元/股),募集资金近6.6亿元,用于投资精密光电薄膜元器件(投资3亿元)、蓝宝石led衬底(投资3
https://www.alighting.cn/news/20110426/115359.htm2011/4/26 18:03:39
n衬底材料工艺对发展gan半导体器件产业至关重要
https://www.alighting.cn/resource/20100607/128384.htm2010/6/7 0:00:00
介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种x光衍射方法对
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
附件为《硅衬底gan基垂直结构高效led的最新进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
从现有水平看，硅衬底半导体照明技术路线需要攻克几大关键技术，包括6英寸mocvd设备制造技术、6英寸外延材料生长技术(减缓droop效应的发光结构)以及6英寸芯片制造技术。
https://www.alighting.cn/news/20100509/85851.htm2010/5/9 0:00:00
daewon innost公司近日发布了一款glaxum (tm)led阵列系列,该产品是采用其自主专利纳米孔硅衬底(nano-pore silicon substrat
https://www.alighting.cn/pingce/20120627/122848.htm2012/6/27 11:09:19
将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光led 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
长主要系本期智能手机配套的组立件和蓝宝石led衬底等产品销售额增加所
https://www.alighting.cn/news/2014827/n126965258.htm2014/8/27 9:12:44
