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德国欧司朗公司开发出高性能蓝白光led原型硅芯片

德国欧司朗公司(osram)光电半导体研发人员地制造出高性能蓝白光led 原型硅芯片,氮化发光材料层被置于直径为150毫米硅晶圆基板上。这是首次成功利用硅晶圆基板取代蓝宝石基

  https://www.alighting.cn/pingce/20120209/122671.htm2012/2/9 10:17:18

北卡罗莱纳州立大学发现提高led发光材料质量技术

日前外媒报导,北卡罗莱纳州立大学发现了一种通过降低氮化薄薄膜中的2~3个数量级缺陷,来提高led发光材料的质量的新技术,研究人员介绍,通过该技术,相同的输入电能能够多产生2

  https://www.alighting.cn/news/20110627/100654.htm2011/6/27 10:11:29

氮化紫外和白光led研究的新反应堆

aixtron的硒今天宣布,从现有的客户吉林大学中国新的mocvd系统秩序。合同是1 ccs的1 3x2的-英寸晶圆的配置,这将被专用氮化物材料的成长紫外线和白堆指示

  http://blog.alighting.cn/yinjideng/archive/2012/8/18/286384.html2012/8/18 13:47:06

“硅基氮固态光源关键技术研究”取得重要进展

由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅基氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化基蓝色发光二极管,处于国际领

  https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00

效法摩尔定律:led晶圆制造开启大尺寸竞赛

继6寸晶圆产线陆续启动后,发光二极体(led)制造商已投入8、12寸晶圆的研发,如普瑞光电(bridgelux)即成功以8寸矽晶圆制造的矽基氮化(GaN-on-silico

  https://www.alighting.cn/resource/20110517/127599.htm2011/5/17 17:53:02

allos推新型硅基氮化外延片产品,具有超过1400v的击穿电压

来自电子、微电子及纳米技术研究院 (iemn)的最新结果显示,allos即将推出的适用于1200v器件的硅基氮化外延片产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29

台积电携手意法半导体,合作加速氮化产品商用化

日前,台积电宣布,与意法半导体合作加速市场采用氮化产品。意法半导体预计今年晚些时候将首批样品交给其主要客户。

  https://www.alighting.cn/news/20200224/166681.htm2020/2/24 14:20:11

6英寸氮化项目落户广西桂林,总投资16亿元

近日,广西桂林高新区管委会与位于中国台湾的欣忆电子股份有限公司通过视频连线召开海峡两岸项目推进会,就第三代半导体六英寸氮化项目推进开展“云洽谈”。

  https://www.alighting.cn/news/20200424/168539.htm2020/4/24 11:12:37

田村制作所展出使用氧化的白色led

田村制作所及其子公司光波公司开发出了使用氧化(β-ga2o3)的白色led,并在“日本第3届led及有机el照明展”(2013年1月16~18日于东京有明国际会展中心举行)上展

  https://www.alighting.cn/news/2013122/n276448351.htm2013/1/22 14:18:06

al_2o_3/si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备

利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的GaN单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的GaN薄膜的 ( 0 0 0 2 )

  https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24

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