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目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台，更已在gan on gan技术上深耕多年，从早期的hvpe氮化镓基板成长到目前的蓝紫光led磊晶技术，技术面皆已突破现今gan o
https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22
台湾国立成功大学和金铝公司今天签约共同投资生产氮化铝，也是台湾第一个氮化铝产业；金铝公司表示，台湾氮化铝都是从外进口，自己产制后，氮化铝成本预计降低3成。
https://www.alighting.cn/news/20091009/108314.htm2009/10/9 0:00:00
韩国研究人员通过在led芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓led的抗反向静电能力提高到了3 kv.来自韩国光技术院(kopti) 和光州科学技术院的研究人员声称：“这种led芯
https://www.alighting.cn/resource/20110706/127454.htm2011/7/6 11:12:35
德国爱思强股份有限公司于1月15日宣布，聚灿光电科技(苏州)有限公司向其订购多套crius ii-l系统，用于大批量生产氮化镓(gan)发光二极管(led)外延片。所订购系统每
https://www.alighting.cn/news/20130116/112829.htm2013/1/16 10:52:45
近日，裕隆集团转投资led外延厂广镓2008年财报出炉，其每股盈余为1.46元新台币，由于目前市况不佳，公司决撤回上市申请，待股市好转后再重新申请上市。
https://www.alighting.cn/news/20090219/118907.htm2009/2/19 0:00:00
针对led的散热问题，led产业的许多先进解决方案中，处处采用了一种关键性材料-氮化硼(boron nitride,bn)，该材料具有高绝缘性、高导热性、高润滑性、耐高温和不沾
https://www.alighting.cn/news/20070614/106033.htm2007/6/14 0:00:00
9月21日，led芯片大厂晶电控告广镓专利侵权案判决出炉，法院宣判晶电主张专利无效，广镓获得胜利。
https://www.alighting.cn/news/20090922/119162.htm2009/9/22 0:00:00
半导体材料作为新材料发展重点之一，将以高纯度、大尺寸、低缺陷、高性能和低成本为主攻方向，逐步提高关键材料自给率。开发电子级多晶硅、大尺寸单晶硅、抛光片、外延片等材料，积极开发氮化
https://www.alighting.cn/news/20120228/99663.htm2012/2/28 14:18:57
外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的gan类led元件，预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。
https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12
led芯片厂广镓光电（8199）2月营收达新台币2亿5971万，年增210.98％。广镓累计前2月营收5亿386万元，年增长261.99％。
https://www.alighting.cn/news/20100312/117685.htm2010/3/12 0:00:00
