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广决议撤回上市申请案

近日,裕隆集团转投资led外延厂广2008年财报出炉,其每股盈余为1.46元新台币,由于目前市况不佳,公司决撤回上市申请,待股市好转后再重新申请上市。

  https://www.alighting.cn/news/20090219/118907.htm2009/2/19 0:00:00

台湾中央大学采用爱思强mocvd,用于6英寸硅基氮化外延生长

爱思强股份有限公司8月14日宣布,台湾中央大学向其订购一套新的mocvd系统。此次订购的1x6英寸爱思强近耦合喷淋头? mocvd系统,将用于在6英寸的硅基材上生长氮化外延结

  https://www.alighting.cn/news/20120815/114421.htm2012/8/15 11:48:41

晶电控告广专利侵权案判决出炉 广胜诉

9月21日,led芯片大厂晶电控告广专利侵权案判决出炉,法院宣判晶电主张专利无效,广获得胜利。

  https://www.alighting.cn/news/20090922/119162.htm2009/9/22 0:00:00

荷兰akzonobel公司建厂扩大led前导材料产能

o项目组隶属于akzonobel公司功能化学品业务部,该部门生产铟基、基、铝基、锌基和镁基等的各种有机金属材料,它们是生产led、太阳能电池以及其他半导体设备的关键前导材

  https://www.alighting.cn/news/20110629/115316.htm2011/6/29 11:51:33

日本发表使用氧化基板的gan类led元件

外媒报导,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化基板的gan类led元件,预计该元件及氧化(ga2o3)基板可在2011年度末上市。

  https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12

广2月营收佳 年增率高

led芯片厂广光电(8199)2月营收达新台币2亿5971万,年增210.98%。广累计前2月营收5亿386万元,年增长261.99%。

  https://www.alighting.cn/news/20100312/117685.htm2010/3/12 0:00:00

广中科新厂将引领高成长动能

led晶粒厂广(8199)受惠于整体接单产能延续满载状态,在下游客户存货盘点影响下,07年12月营收仍旧以2.09亿元续创历史新高,累计07年度总营收亦因此扩增至18.83亿

  https://www.alighting.cn/news/20080109/119657.htm2008/1/9 0:00:00

ucsb:俄歇复合为led效率下降的主要原因

美国加州大学圣塔芭芭拉分校 (ucsb)的研究团队宣称通过第一原理计算发现,对于以氮化钾(gan)为主的led,俄歇复合(auger recombination)是其效率下

  https://www.alighting.cn/news/20090615/104758.htm2009/6/15 0:00:00

不同基板1w硅衬底蓝光led老化性能研究

将硅(si)衬底上外延生长的氮化(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对

  https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00

压电—光电效应,可使led光电转化率提升约4.25倍

新装置内的氧化锌纳米线构成了p-n结的n,氮化薄膜则可作为其中的p。自由载子将被囚禁在这个界面区域内。压电—光电效应可在对设备施加0.093%压应力的情况下,使发光强度提升17

  https://www.alighting.cn/news/20111102/100248.htm2011/11/2 9:05:30

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