站内搜索
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
蓝宝石(al2o3，英文名为sapphire)为製成氮化镓(gan)磊晶发光层的主要基板材质，gan可用来製作超高亮度蓝光、绿光、蓝绿光、白光led。1993年日亚化(nichi
https://www.alighting.cn/resource/20111201/126834.htm2011/12/1 10:34:22
由于si基光发射材料具有与先进的si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (oeic)工程应用的首选材料。但由于体材料si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的
https://www.alighting.cn/2011/10/28 14:00:14
结合aln成核缓冲层技术和nh3流量调制缓冲层方法,采用mocvd在(0001)面蓝宝石衬底上生长了aln基板,用扫描电镜、原子力显微镜及x射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127209.htm2011/9/2 17:16:23
i信号实现画中画，然后分割成4路同时发出，在时序上，4路输出完全同步，可以解决拼接处视频撕裂的问
https://www.alighting.cn/resource/20110806/127339.htm2011/8/6 14:51:49
介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种x光衍射方法对
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
台湾虽已成世界led生产的重镇，但其主要发光专利仍掌握在日(如nichia)、美(如cree)、欧(如osrams)等大公司的手中。更有甚者，mocvd生长的led磊晶(如氮化
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
据悉：led芯片在工作时有30-35电能转化成光能，另外65-70的转化成了热能。led对温度影响非常敏感，一般来说，在结温125摄氏度以下led才可以避免性能下降甚至失效。70
https://www.alighting.cn/resource/20110628/127489.htm2011/6/28 10:29:24
设计了一种新型太阳模拟器。该太阳模拟器是采用不同波长的led复合成太阳光源来实现太阳光模拟的。使用软件对其进行了原理上的仿真并进行了验证性实验。实验表明该设计方案可行的。该le
https://www.alighting.cn/resource/20110321/127865.htm2011/3/21 15:54:24
备多项成熟优势，但实际上led在我们所输入的能源中，仅有两成能源可以转换为光能，剩下的八成能源多半角成废热散
https://www.alighting.cn/resource/20101201/128169.htm2010/12/1 13:34:43
