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调试在初级电子工程师初级阶段是必须的，本文综合了几家的调试文章，再加上作者自己的心得推荐给大家。
https://www.alighting.cn/resource/2012/1/12/172949_12.htm2012/1/12 17:29:49
备工艺简单等在平板显示中显著的优点，从而日益成为国际研究的热点。在不到20年的时间内，oled已经由研究进入产业化阶
https://www.alighting.cn/resource/2011/12/7/142414_87.htm2011/12/7 14:24:14
要的波段。因此，led渐渐的被导入除了照明以外的市场当中。其中以应用于uv鉴识、uv固化、植物生长灯及ir监视器辅助照明市场，有最为显著的成
https://www.alighting.cn/2011/12/6 9:41:31
供物品实质需要的波段。因此，led渐渐的被导入除了照明以外的市场当中。其中以应用于uv鉴识、uv固化、植物生长灯及ir监视器辅助照明市场，有最为显著的成
https://www.alighting.cn/resource/2011/11/21/104942_68.htm2011/11/21 10:49:42
大功率led在初始点亮阶段光度都会有一定的衰减，led封装厂为了提供给应用端厂商发光稳定的产品，或者是应用端厂商家为了获得稳定的led材料，通常都会做一些老化试验。
https://www.alighting.cn/resource/20111104/126918.htm2011/11/4 16:01:44
多的光能被浪费掉了”。高压钠灯即浪费了能量，也没能使植物的光合作用及生长达到最佳状
https://www.alighting.cn/2011/11/2 13:45:09
膜。xrd测量结果表明利用该方法制备的gan薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用傅里叶红外吸收光谱仪测量了薄膜的红外吸收谱,利用sem和tem观测了薄膜形貌,p
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在si(100)、(111)衬底上成功生长了inp纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
