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目前超高亮度白/蓝光led的品质取决于氮化镓磊晶(gan)的材料品质，而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关，蓝宝石(单晶al2o3 )c面与ⅲ-ⅴ和ⅱ-ⅵ
https://www.alighting.cn/2011/9/28 15:01:17
本文为led背光采购交流会中晶元光电scott chen的关于《tv用led芯片技术趋势》的演讲讲义，精彩纷呈，推荐下载。
https://www.alighting.cn/2011/9/21 15:45:25
把有一点缺陷或者电极有磨损的，分捡出来，这些就是后面的散
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127115.htm2011/9/20 11:55:56
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
1、220和311三个晶向上的晶粒大小分别为15nm、17nm和21nm;通过raman测量,计算出其晶化率为35%左右
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
然不同.对α面gan的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57
led封装方式是以晶粒(die)藉由打线、共晶或覆晶封装技术与其散热基板submount(次黏着技术)连结而成led晶片，再将晶片固定于系统板上连结成灯源模组。
https://www.alighting.cn/resource/20110818/127295.htm2011/8/18 16:47:54
论,并且确定了三角坑缺陷的晶向
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33
最近很多媒体都大肆报道一种“高压led”，认为它是一种全新的led品种，而且具有很多优点，甚至认为它将使“今天的低压led将淡出未来的led通用照明市场”而高压led将“主导未来的
https://www.alighting.cn/resource/20110803/127343.htm2011/8/3 18:46:31
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
