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型n－zno/i-mgo/p-si双异质结p-i-n紫外探测器结构，研制成功si基zno可见盲紫外探测器原理型器件。其独创的硅基氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创
https://www.alighting.cn/resource/20090610/128702.htm2009/6/10 0:00:00
近日，世界级mocvd厂商-veeco宣布：其引进的turbodisc ? maxbright?氮化镓(gan)有机金属化学气相沉积法(mocvd)多反应器系统，用于生
https://www.alighting.cn/pingce/20110210/123082.htm2011/2/10 13:30:04
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
普瑞公司已经大大提高了硅衬底LED芯片的流明/瓦，光色和显色指数等性能，而这些性能的高低直接决定了LED芯片质量的好坏。在今年三月，普瑞公司宣布其硅衬底氮化镓LED发展战略
https://www.alighting.cn/news/20110810/115411.htm2011/8/10 9:31:44
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
本文为2012亚洲LED高峰论坛上晶能光电(江西)有限公司赵汉民先生所做之《硅衬底大功率LED芯片的产业化及应用》的精彩演讲，本文主要围绕着硅衬底的LED技术展开，到硅衬底le
https://www.alighting.cn/2012/6/26 15:44:39
硅基大功率紫外模组，为晶能光电（江西）有限公司2017神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20170411/149844.htm2017/4/11 9:58:50
delta掺杂技术是在维持氨气流量不变的情况下，通过选择性打开或者关闭三甲基镓和硅烷来实现。采用delta掺杂技术后，LED器件的esd值从1200伏提高到4000伏以上，而
https://www.alighting.cn/news/20111017/99955.htm2011/10/17 10:49:53
日前外媒报导，北卡罗莱纳州立大学发现了一种通过降低氮化镓薄薄膜中的2~3个数量级缺陷，来提高LED发光材料的质量的新技术，研究人员介绍，通过该技术，相同的输入电能能够多产生2
https://www.alighting.cn/news/20110627/100654.htm2011/6/27 10:11:29
LED芯片的生产通常是使用昂贵的蓝宝石基片在2至4英寸的晶圆上完成。东芝与bridgelux, inc.已经开发出一种在200mm硅晶圆上制造氮化镓LED的工艺，而东芝目前已将
https://www.alighting.cn/pingce/20121217/121992.htm2012/12/17 9:42:51
