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d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了LED产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbLED通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279434.html2012/6/20 23:05:05
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282416.html2012/7/19 10:22:52
形，n型欧姆接触区为梳状形，这样可以减小电阻。第四步，将带有金属化凸点的a1gainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(esd)的硅载体上。美国cree公司是采用sic衬底制造a
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00
a1gainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(esd)的硅载体上。美国cree公司是采用sic衬底制造a1gainn超亮度LED的全球唯一厂家，近年来a1galnn／sic芯
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00
命下降。目前蓝光芯片无论是碳化硅、蓝宝石、硅衬底技术都是异质外延，在衬底和外延晶体之间存在晶格失配导致位错，同时由于热膨胀系数的差别在外延生长后的降温过程中产生热应力，导致外延层出
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21
程首先是将gaas衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉（简mocvd，又称外延炉），再通入iii、ii族金属元素的烷基化合物（甲基或乙基化物）蒸气与非金属(v或vi族元素）的氢化物（或烷
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2010/8/18/91272.html2010/8/18 20:29:00
持；基于碳化硅衬底的LED核心专利则主要被cree所垄断，严重阻碍国内LED产业的发展；中国LED外延片和芯片制造厂家，普遍缺乏受过良好教育与训练，有知识、有技术、有经验的高级企业管
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126747.html2011/1/9 20:00:00
性的副产物。LED外延片工艺流程如下：衬底-结构设计-缓冲层生长-n型gan层生长-多量子阱发光层生-p型gan层生长-退火-检测（光荧光、x射线）-外延片外延片-设计、加工掩模版
http://blog.alighting.cn/sz_nltsmt5188/archive/2011/6/24/226838.html2011/6/24 8:33:00
0nm的蓝光LED的外量子效率可以达到34．9％。 2007年，美国的cree公司，在sic衬底上生长双异质结，制作的器件同样很出色，sic衬底可以把gabl基LED的金属电极制
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22
