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科锐功率器件与射频(rf)首席技术官 john palmour 表示：“碳化硅双极型(bipolar)器件的发展长期以来受制于基面位错引起的正向电压衰减。该款低基面位错材料能够用
https://www.alighting.cn/news/20120919/113213.htm2012/9/19 15:00:25
美国科学家成功制造出波长255nm、功率0.57w以及波长250nm、功率0.16w的紫外发光二极管(led)。该组件目前尚未封装，该研究小组希望藉由覆晶接合(flip-chi
https://www.alighting.cn/resource/20041101/128434.htm2004/11/1 0:00:00
介绍了发光二极管(led)的发展简史。提出可能影响led可靠性的几种因素,主要有封装中的散热问题和led本身材料缺陷。对于led可靠性,主要方法是通过测试其寿命来分析其可靠性,一
https://www.alighting.cn/2013/5/29 10:20:47
本篇介绍led的几种分类方式，希望可以与大家分享。
https://www.alighting.cn/resource/20090331/128851.htm2009/3/31 0:00:00
位于美国加州托兰斯的ledtronics公司近日介绍了一种外形不太引人注目的rgb-1007-001四脚过孔，发红光、绿光和蓝光的led。
https://www.alighting.cn/news/200774/V8080.htm2007/7/4 18:09:19
硅zfet? mosfet器件和二极管适用于高阶电力电子电路，与传统硅器件相比，可实现更高的能源效率。这两款1200v mosfet裸芯片已经发布并能够量产使
https://www.alighting.cn/pingce/20111219/122738.htm2011/12/19 10:45:36
s306超亮侧发光二极管，为深圳市聚飞光电股份有限公司2016神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20160321/138247.htm2016/3/21 17:49:47
主要规定了氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片的技术要求、检验方法、检验规则、标志的规定、包装、运输和贮存的要求，以及相关工艺和工艺环境的要求等。本标准适用于制备半导体发光二极管的外
https://www.alighting.cn/news/20110729/109464.htm2011/7/29 16:03:22
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12
近日，从事gan外延基板开发及销售等业务的风险企业powdec，公开开发表了利用gan类半导体的肖特基势垒二极管(sbd)，预估2012年前量产。
https://www.alighting.cn/pingce/20101206/123155.htm2010/12/6 9:26:47
