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采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53
https://www.alighting.cn/resource/20050823/128888.htm2005/8/23 0:00:00
自从yag，氮化物，硅酸盐荧光粉导入半导体封装后，很多新生代的白光工程师对led所用的荧光粉产生了误读，led荧光粉在使用过程中并不存在有大功率小功率荧光粉之分。
https://www.alighting.cn/resource/20131008/125264.htm2013/10/8 13:30:40
对于高亮度led制造业来说，蓝宝石上gan明显是一种领先的方案;sic上gan几乎也一样，对眼下基于氮化物的无线/射频产品而言，它是一张中奖彩票。硅上gan也是用于这几个市场，但
https://www.alighting.cn/resource/20101201/128165.htm2010/12/1 15:21:37
2007年8月27日，剑桥显示技术 (cdt) 和sumation（cdt与住友化学合资公司）宣布poled（高分子有机发光二极管）绿、红光材料寿命又获新突破；
https://www.alighting.cn/resource/20070831/128522.htm2007/8/31 0:00:00
ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量比是
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄膜
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
研究了在分子束外延制备的aln/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂gan的材料性质.采用x射线衍射(xrd)、透射电镜(tem)和原子力显微镜研究了aln模板的
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127233.htm2011/8/30 13:29:11
文章通过对应急照明的布置和应急照明系统的控制，阐述现代高层建筑的应急照明设计。
https://www.alighting.cn/resource/2007821/V12735.htm2007/8/21 14:04:10
由于iii族氮化物的p型掺杂受限于mg受主的溶解度和空穴的较高激活能，热量特别容易在p型区域中产生，这个热量必须通过整个结构才能在热沉上消散;led器件的散热途径主要是热传导和
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127197.htm2011/9/5 14:38:54
