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本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由华灿光电股份有限公司的王江波/研发经理主讲的关于介绍《大电流应用下的led外延与芯片关键技术研究》的讲义资料，现在分享给大家，欢迎下
https://www.alighting.cn/2013/6/17 11:30:17
本资料出自2013新世纪led高峰论坛，由深圳市晶台光电有限公司的龚文总经理主讲的关于介绍《2013年led封装技术十大趋势与热点》的讲义资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详
https://www.alighting.cn/2013/6/14 12:01:03
一份关于介绍《led光电参数定义及其详解》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130613/125524.htm2013/6/13 11:55:04
一份出自华宇光电子的企业内部培训资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125526.htm2013/6/6 11:49:16
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
一份出自深圳雷曼光电科技有限公司的关于介绍《直插式led 封装制程容易出现的问题与排解》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125539.htm2013/6/3 11:20:37
一份出自深圳市瑞丰光电子股份有限公司，关于介绍《照明行业对光源需求》的讲义技术资料，现在分享给大家，，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125545.htm2013/5/31 10:56:56
采用真空热蒸镀技术,在不同的掺杂浓度下,制备了4种双异质型结构的蓝色有机电致发光器件(oled),其结构为ito/cupc(30 nm)/npb(40 nm)/tpbi(30 nm
https://www.alighting.cn/2013/5/28 14:15:17
一份出自国际led创新论坛，由北京大学上海微电子研究院的颜重光/高工主讲的关于《大众led照明新技术发展趋势》的讲义资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:30:04
采用脉冲激光沉积技术在si/蓝宝石衬底上制备了zno薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900℃)及退火气氛(n2,o2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条件得
https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:06:49
