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《高压发光二极管(hv led)芯片开发及产业化》通过对普通蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备出正装高压发光二极管(hv le
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/20/162618_06.htm2011/6/20 16:26:18
led技术：阿拉丁照明网资料频道提供全面的led技术资料免费下载。本文推荐的led技术资料是《gan基发光二极管合成照明光源的开发研究》。 摘要：gan基发光二极管合成照
https://www.alighting.cn/resource/2009116/V993.htm2009/11/6 14:25:58
设计了一种新型的带有百叶窗的平板式大功率发光二极管(led)照明装置。该装置采用高导热系数的铝基板作为多颗大功率led的散热电路板,用0.4mm的铝片作为散热翅片,结合沟槽式微热
https://www.alighting.cn/resource/20130410/125748.htm2013/4/10 13:14:29
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39
人印象深刻。本次论坛还得到了日本东京电视台的大力关注。 以下是infineon英飞凌科技dr.wernerludorf先生有关“具有初级端控制的单级发光二级管驱
https://www.alighting.cn/resource/2010622/V1115.htm2010/6/22 9:40:24
通过引入散射理论建立了发光二极管模型,并考虑低计量率电离辐照损伤影响,建立了器件材料散射因子与辐照损伤的关系模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件在不同辐照条件下的电学特
https://www.alighting.cn/resource/20110818/127298.htm2011/8/18 14:31:26
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
“2011上海国际新光源&新能源照明论坛”上海大学新型显示教育部重点实验室魏斌向大家介绍《高效率和色稳定的白光oled—实现有机发光二极管照明的关键技术》。
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/13/16105_91.htm2011/6/13 16:10:05
自从激光问世以来，光与物质相互作用这一重要科学领域得到了新的开拓。六十年代初，随着调q激光器的出现，激光对物质的破坏作用就为人们所察觉。随着激光器研究的发展以及高功率激光器的出现，
https://www.alighting.cn/2014/4/30 11:28:29
本文将就led的特性、旋光性相关量测单位、量测项目与cie建议测试规范做一简介。
https://www.alighting.cn/resource/2007629/V12631.htm2007/6/29 10:24:21
