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采用β-ga2o3制作基板时，可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法，这也是其特点之一，
https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04
与sic和gan相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下面
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300?? 中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
本文采用相场数值模拟研究了图形化衬底上外延形态演化及其可调控性。发现通过在衬底表面预制合适的图形，改变外延层表面初始的应变分布，从而有效控制外延层表面的形态演变路径，可以获得高
https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:52:41
在mocvd 反应器中外延异质结构的材料时，用来生长晶体的各组份和掺杂剂，都是以气态方式进入反应器的;该系统通过周期性地切换各种反应气体控制其流入量，在衬底上外延出特定组份、特
https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:29:55
图形化衬底(pss)技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷，在氮化物器件制备中得到了广泛的应用。但是由于蓝宝石具有稳定的化学和物理性质，使得很难进行刻蚀和图形化制作。
https://www.alighting.cn/2012/4/9 13:18:31
在极短的瞬间(纳秒级)对led芯片的两个电极之间进行放电，瞬间将在两个电极之间(阻值最小的地方，往往是电极周围)的导电层、发光层等芯片内部物质产生局部的高温，温度高达1400℃，这
https://www.alighting.cn/2012/3/22 12:56:19
本文的主要研究内容涉及图形化衬底对gan基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了gan
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和gan存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
容参数, 结合理论计算得到的各组样品热阻、热容参数, 试图将拟合值同实际封装结构中芯片衬底和固晶界面的热阻、热容进行匹配. 最后测量了工作条件下结温和焊点温度, 计算出器件热阻,并
https://www.alighting.cn/2012/3/12 13:13:30
