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作为阳极的ito表面状态好坏直接影响空穴的注入和与有机薄膜层间的界面电子状态及有机材料的成膜性。
https://www.alighting.cn/resource/200822/V14003.htm2008/2/2 11:35:54
作为阳极的ito 表面状态好坏直接影响空穴的注入和与有机薄膜层间的界面电子状态及有机材料的成膜性。
https://www.alighting.cn/news/200822/V14003.htm2008/2/2 11:35:54
夏普开发出了可基本保持液晶面板的画面亮度不变、同时将色彩表现范围扩大25%的背照灯用led器件。液晶单元不变，只在背照灯上采用这种led器件，便可实现色彩表现范围达到nts
https://www.alighting.cn/pingce/20131225/121609.htm2013/12/25 19:08:50
学共同协办的第三届国际紫外材料与器件会议(iwumd 2018)定于2018年12月9日~12月12日在云南省昆明云安会都酒店召
https://www.alighting.cn/news/20181130/159236.htm2018/11/30 15:46:46
近日安森美半导体(onnn)针对1瓦(w) led照明应用的恒流稳流器阵容推出nsi50350a器件，又奏响了小功率led产品的号角。
https://www.alighting.cn/pingce/20110928/122954.htm2011/9/28 17:29:29
ns-csp 1010系列led器件，为佛山市国星光电股份有限公司2015神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20150402/84093.htm2015/4/2 15:08:22
闪光灯led器件，为佛山市国星光电股份有限公司2018神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20180226/155294.htm2018/2/26 15:12:11
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
型n－zno/i-mgo/p-si双异质结p-i-n紫外探测器结构，研制成功si基zno可见盲紫外探测器原理型器件。其独创的硅基氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创
https://www.alighting.cn/resource/20090610/128702.htm2009/6/10 0:00:00
《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》内容：lain-aigan-gan,研究动机,材料的生长和表征;gan-ingan材料,研究动机,材料的生长和表征,在沟槽gan模板层上生
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15
