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led行业热点之cob散热技术

所谓cob封装(chiponboard),是指led芯片直接在板上进行绑定封装。也就是指将n颗led芯片绑定在金属板或陶瓷板上,成为一个新的led光源模组。

  https://www.alighting.cn/2013/10/10 15:15:00

转移板材质对si衬底ganled芯片性能的影响

在si衬底上生长了ganled外延材料,分别转移到新的硅板和铜板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。

  https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36

硅衬底ganled外延生长的研究

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此础上外延生长出了gan发光二极管(led)外

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

gan不同电极形状的led性能比较

对前期工作中使用crosslight apsys软件模拟的6种优化电极的ganingan/gan多量子阱蓝光led芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进

  https://www.alighting.cn/2011/12/6 16:52:22

gan发光二极管合成照明光源的开发研究

led技术:阿拉丁照明网资料频道提供全面的led技术资料免费下载。本文推荐的led技术资料是《gan发光二极管合成照明光源的开发研究》。   摘要:gan发光二极管合成照

  https://www.alighting.cn/resource/2009116/V993.htm2009/11/6 14:25:58

硅衬底灯饰led芯片主要制造工艺解析

目前国际上商品化的ganled均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,sic同样存在硬度高且成本昂

  https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37

高亮度gan蓝光与白光led的研究和进展

gan蓝光led高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了gan材料和gan蓝光led器件结构的发展,阐述了为改善led性能的一些新措施,led在照明光源上的应用优势,给

  https://www.alighting.cn/2014/10/11 11:37:06

我国氮化镓半导体激光器研究取得突破

由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓激光器”获得重大突破,在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓激光器原型。

  https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00

提高gan发光二极管外量子效益的途径

发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展,本文主要介绍了提高ganled外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术,分布布拉格反射层(db

  https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35

si衬底gan蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25

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