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h3AR建筑设计事务所的波兰籍建筑师hugon kowalski最近提出了一个建筑方案，新建筑可以借助水泵抽取地下水。该建筑的形式受到水塔和当地非洲草原的象征-猴面包树的启发。建
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246612.html2011/10/20 15:59:27
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术 (atr-ftir) ,研究了 si(1 1 1 )在不同比例的 nh4f-hcl溶液中腐蚀后的表面形态。通过分析表面振动模型的偏振波长及
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:03:59
此前，氮化镓只能用于(111)-硅上，而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(cmos)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由(11
https://www.alighting.cn/news/20111009/100275.htm2011/10/9 10:09:29
5 、rx7s 、pAR30、pAR20、mr16、mr11、AR111、AR80、AR70、plc、g6.35 、g5.3、g4)；3、不同的反射器配光(10°、24°、45°)；
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/23/153631_03.htm2011/9/23 15:36:31
http://blog.alighting.cn/110874/2011/9/23 15:11:18
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出gan薄膜.x射线衍射(xr
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
向妇女诉求106、使它锐利107、价钱更低108、变更它的外形109、抬高价格110、要它绕一周111、变更成份112、把它框起来113、增加新成份114、把它卷成一圈115、拧搓
http://blog.alighting.cn/chseven/archive/2011/9/10/236176.html2011/9/10 12:05:46
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜11
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
用脉冲激光沉积(pld)方法在si(111)和蓝宝石衬底上制备的氧化锌薄膜,在不同的退火温度和不同的退火氛围中进行了退火处理.退火温度及退火氛围对zno薄膜的结构和发光特性的影响
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53
