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总结了lED芯片及封装设计生产最新研究动态，分享给大家；
https://www.alighting.cn/resource/20101130/128175.htm2010/11/30 11:02:36
引脚式lED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应,分析了一种封装缺陷对lED支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对lED支架回路光电流进
https://www.alighting.cn/resource/20120310/126683.htm2012/3/10 19:11:29
为了获得大功率lED器件，有必要准备一个合适的大功率lED面板灯芯片。国际社会通常是大功率lED芯片的制造方法归纳如下。
https://www.alighting.cn/resource/20131025/125196.htm2013/10/25 10:31:08
2007年9月7日，cree当日宣布已证明一单芯片lED的光输出超过1000lm，数字上与标准家用灯泡的光输出水平相当。cree的成果证实了其在lED开发领域继续领先的地位。
https://www.alighting.cn/resource/20070910/128525.htm2007/9/10 0:00:00
对不同大功率lED芯片进行单次脉冲浪涌冲击，对比不同大功率lED芯片在相同浪涌波形下的抗过电应力能力。实验共测试5款lED产品，发现不同大功率lED芯片的抗过电应力能力相差很
https://www.alighting.cn/resource/2013/11/15/153954_33.htm2013/11/15 15:39:54
文章介绍了这种芯片的特点和使用方法，并给出软硬件的设计实例。
https://www.alighting.cn/2014/12/31 10:26:20
https://www.alighting.cn/resource/20131114/125121.htm2013/11/14 16:33:06
对于封装过程中的lED芯片的检测目前还没有行之有效的方法,基于p-n结的光生伏特效应和法拉第定律,提出一种非接触式的针对lED封装过程中芯片质量及芯片与支架之间连接状态的检测方
https://www.alighting.cn/resource/20110727/127386.htm2011/7/27 16:51:03
半导体照明产业是一个新兴产业,尤其是其上游lED外延及芯片制造产业在中国更是近几年才迅猛发展起来,各lED外延及芯片制造企业都是在企业发展的过程中,逐步探索质量控制的途径和方法。
https://www.alighting.cn/2013/3/4 11:41:44
正装结构和垂直结构的芯片是gan与荧光粉和硅胶接触，而倒装结构中是蓝宝石(sapphire)与荧光粉和硅胶接触。gan的折射率约为2.4，蓝宝石折射率为1.8，荧光粉折射率为1.
https://www.alighting.cn/resource/20140804/124386.htm2014/8/4 10:12:48
