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GaN氮化镓(gallium nitride)

由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm),比硅(si)要宽3倍。利用该特性,GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和

  https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42

GaN衬底技术的新进展及应用

GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料,在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景。

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/127977.htm2010/7/12 18:02:38

GaN同质衬底应用前景广阔技术有待提高

GaN为代表的iii-v族化合物及其三元、四元系材料因其良好的物理、化学性质被广泛的应用于光电和微电子器件,如照明和颜色显示的白光或彩色led,可用于信息存储和激印的蓝紫光激光

  https://www.alighting.cn/news/20090803/91211.htm2009/8/3 0:00:00

cree宣布与三菱化学签订GaN板授权合约

议,mcc将可制造、贩卖独立的氮化镓(GaN)板,并有权签订类似专利范围的再授权协议(similarly-scoped sublicense

  https://www.alighting.cn/news/20090116/117883.htm2009/1/16 0:00:00

mocvd生长中利用al双原子层控制和转变GaN的极性

讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长GaN过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一

  https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23

实业:“架+板+壳”合一是封装板新趋势

6月9日-11日,以“思索照明-产业重构与突破”为主题的2016阿拉丁照明论坛,在全球最大照明展广州国际照明展期间隆重举行,阿拉丁照明网作为大会报道的官方媒体,特邀深圳市环

  https://www.alighting.cn/news/20160621/141330.htm2016/6/21 10:26:58

日本启动GaN开发项目,诺奖得主天野领军

日本文部科学省将于2016年度内启动名为“有助于实现节能社会的新一代半导体研究开发”的GaN功率元件开发项目。相关负责人介绍说,“这是文科省的第一个电子元器件项目”。该项目的核

  https://www.alighting.cn/news/20160418/139483.htm2016/4/18 9:28:20

oled照明将会锁定在高阶利型市场?

未来led与oled照明将有市场定位的区隔,oled照明将会锁定在高阶的利型市场,虽然市场规模不大但利润高;至于led则将占有主流照明市场的重要地位。

  https://www.alighting.cn/news/201231/n155337894.htm2012/3/1 9:35:17

接获欧洲大单,q3表现引人瞩目

(8111) 接获欧洲通路商led大型户外看板订单,目前已完成装置一片,年底前将再陆续装置五片,营收贡献约6000万新台币。

  https://www.alighting.cn/news/20090723/96144.htm2009/7/23 0:00:00

生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响

研究了采用mocvd技术分别在100与500torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。

  https://www.alighting.cn/resource/20150306/123512.htm2015/3/6 11:50:51

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