检索首页
阿拉丁已为您找到约 1452条相关结果 (用时 0.0212531 秒)

inGaN_GaN多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性

分析表明在老化过程中ingan/gan 多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加,形成了增强的极化电场屏蔽效应,减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变小

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 11:48:19

具有三角形inGaN/GaN 多量子阱的高内量子效率的蓝光led

研究结果表明,对于传统结构的led 而言,2 个量子阱的结构相对于5 个和7 个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的led,研究结果显示,三角形多量子阱结构

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:27:18

si衬底GaN蓝光led老化性能

为避免因封装不良带来的可靠性问题而影响对老化机理的判断,本样品不灌胶,目的是仅仅研究芯片本身的可靠性。

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:15:20

于人识别及位置分析的按需照明节能控制系统

现有的室内照明调节设施多靠手动、声光计数控制,无法根据使用者的需求提供照明服务。针对以上问题,于计算机视觉对场所内的人进行识别,获取人员位置,调节区域内相应位置处的照明设

  https://www.alighting.cn/resource/2014/11/19/181148_50.htm2014/11/19 18:11:48

led与半导照明未来5年市场预测

年将是成熟的半导照明领域激动人心的时

  https://www.alighting.cn/resource/20141114/124090.htm2014/11/14 11:37:53

led照明散热技术get√

本文对led发热问题就行了分析,强调散热技术对led发展的重要性。

  https://www.alighting.cn/resource/20141114/124092.htm2014/11/14 10:58:12

功率型白光led光学特性退化分析

GaN蓝光芯片涂敷yag荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 w的自光发光二极管(led),对其施加900ma的电流应力,在老化过程中测量白光led的主要光学参数,考察其光学特

  https://www.alighting.cn/resource/20141113/124094.htm2014/11/13 14:26:30

平均照度计算方法

室?内?照?明?的?一?些??本?计?算?方?法。

  https://www.alighting.cn/resource/2014/11/6/18447_68.htm2014/11/6 18:04:47

不同板1 w硅衬底蓝光led老化性能研究

将硅衬底上外延生长的氮化镓led 薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑板、铜铬支撑板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑板,获得了垂直结构蓝光led 器件,并对其老化特性进

  https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34

移相全桥pwm知多少:电路及元件详解

提到移相控制的全桥pwm变换器,电源工程师绝不会陌生。它是最常用的中大功率dc/dc变换电路拓扑结构之一。

  https://www.alighting.cn/2014/11/5 10:38:55

首页 上一页 13 14 15 16 17 18 19 20 下一页