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采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波计算方法，系统研究了不同应力作用下GaN的电子结构和光学性质，对比分析了外压调制对GaN的能带结构、态密度和光学性质变化的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123550.htm2015/3/2 11:45:19
研究了不同能量的电子束辐照对GaN基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaN基led外延片进
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
ims research最新一季氮化镓led供求报告结果显示2011年GaN led封装收入比去年减少6%，预计GaN led市场在2012年至2015年期间会逐步回暖，并且由
https://www.alighting.cn/news/20120201/89666.htm2012/2/1 11:27:54
本文研究了两组不同晶体质量的GaN外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降
https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展，本文主要介绍了提高GaN基led外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射层(db
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
科锐公司(cree)宣布推出可适用于军用和商用s 波段雷达中的高效GaN hemt 晶体管。全新60w GaN hemt psat 晶体管帮助降低军用和民用雷达系统，对于高功率放
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122233.htm2012/7/11 9:33:21
硅基GaN衬底面临一些技术挑战。GaN和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力，这会引起薄
https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47
大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学专业教授藤原康文试制出了利用GaN系半导体的红色led组件。利用GaN系半导体的蓝色led组件及绿色led组件现已达到实用水平，但试制出红
https://www.alighting.cn/news/20090707/120831.htm2009/7/7 0:00:00
随着硅基板技术日渐成熟，由于成本以及电性考量，大厂开始尝试使用非蓝宝石基板技术来打造led。led业者认为，短期内硅基板led在规格及亮度表现仍显不足，与蓝宝石基板还是有落差，但
https://www.alighting.cn/news/20121108/88977.htm2012/11/8 15:09:46
本文概述了几种常用陶瓷基板材料的差异、以及在uv led应用领域中的重大意义。指出氮化铝陶瓷基板综合性能最好，是uv led理想的基板材料。
https://www.alighting.cn/news/20200623/169278.htm2020/6/23 10:39:50
