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简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的GaN基led的结构和工作原理，以及为改善GaN基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
ledinside发表知识库文章《生长led有机层的外延片工艺》
https://www.alighting.cn/news/20080204/107389.htm2008/2/4 0:00:00
led铝基板的生产，带动了散热应用行业的发展，由于led铝基板散热特色，加上铝基板具有高散热、低热阻、寿命长、耐电压等优点，随着生产技术、设备的改良，产品价格加速合理化，进而扩
https://www.alighting.cn/news/20151125/134452.htm2015/11/25 10:08:50
且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响GaN材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42％的GaN类led，并在“alps show 2008”（2008年9月25～26日）上展出。发光波长为510.7n
https://www.alighting.cn/resource/20081004/128618.htm2008/10/4 0:00:00
乾照光电和武汉大学研究人员表示，他们在4英寸p型硅衬底上开发出高功率，可靠的基于GaN的垂直led(vled)。他们使用具有sio2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此
https://www.alighting.cn/news/20191220/165785.htm2019/12/20 9:23:05
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
近几年来，硅衬底GaN基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
陶瓷基板是基于高效散热、化学稳定的陶瓷材料的线路板，特别适用高功率电子元件封装应用。目前，陶瓷基板广泛应用在cob、以及灯丝产品中。业内表示，制造高纯度的陶瓷基板比较困难，因为大
https://www.alighting.cn/news/20150807/131622.htm2015/8/7 9:53:56
本书内容包括白光led发光原理、白光led照明的研发与展望、白光led照明的种类及其特征、白光led照明的关键技术、外延基板与封装基板、白光led照明的颜色与色彩评价技术、白
https://www.alighting.cn/resource/2013/8/28/141949_84.htm2013/8/28 14:19:49
